这些基于超级结技术的功率MOSFET具有600V-800V级MOSFET中最低的RDS(开启)。内部DCB隔离简化了组装,并降低了从接头到散热器的热阻。这些设备具有雪崩等级,从而保证了坚固的操作。
特色
- 直接铜键合衬底上的硅片
- 快速CoolMOS™(1) 功率MOSFET第四代
- 增强的总功率密度
- 低热阻
应用
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 功率因数校正(PFC)
- 焊接
- 感应加热
- PDP和LCD适配器
优势:
- 易于组装
- 节省空间
- 高功率密度
- 高可靠性
起订量: 25
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
25+ | 298.00187 | 7450.04695 |
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这些基于超级结技术的功率MOSFET具有600V-800V级MOSFET中最低的RDS(开启)。内部DCB隔离简化了组装,并降低了从接头到散热器的热阻。这些设备具有雪崩等级,从而保证了坚固的操作。
优势:
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