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AON5810是MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于6-SMD、扁平引线暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-DFN-EP（2x5），除了2 N沟道（双）公共漏极FET类型外，该器件还可以用作1.6W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供1360pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为7.7A，最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@7.7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13.1nC@4.5V。
AON5802BL和ALPHA制造的用户指南。AON5802BL采用DFN2X5封装，是IC芯片的一部分。
AON5812，电路图由AOS制造。AON5812采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
