特色
- 在ChipFET中提供超低RDS（ON）解决方案™ 包裹
- 微型ChipFet封装比TSOP-6占地面积小40%
- 薄型（<1.1mm）使其能够轻松适应极薄的环境，如便携式电子设备
- 简化电路设计，因为不需要用于栅极电压的额外升压电路
- 在标准逻辑级门驱动下运行，便于将来使用相同的基本拓扑迁移到较低级别
应用
- 针对便携式设备中的电池和负载管理应用进行了优化
- 电池充电器中的充电控制
- 降压和升压转换器
- MP3播放器
- 手机
- PDA
（图片：引出线）
NTHD4102PT3G
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥7.48916
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.49
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 部件状态 过时的
- 最大功率 1.1瓦
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A
- 供应商设备包装 ChipFET
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 750皮法 @ 16V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 2.9A, 4.5V
NTHD4102PT3G 产品详情
功率MOSFET-20 V，-4.1 A双P沟道ChipFET™
NTHD4102PT3G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NTH402AUNL | 普思电子 (Pulse) | TRANSFORMER | ¥43.94383 |
| NTH557AKNLT | 普思电子 (Pulse) | TRANSFORMER | ¥85.97902 |
 | NTHS5404T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | ¥1.01401 |
 | NTHD4P02FT1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET | ¥0.72429 |
 | NTHD5903T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET | ¥1.01401 |
 | NTHS0805N03N1001JR | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 1K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥14.42786 |
 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTHD4102PT3G所属分类：场效应晶体管阵列，NTHD4102PT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHD4102PT3G价格参考￥7.489159，你可以下载 NTHD4102PT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHD4102PT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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