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AON7826是MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（3x3）以及2 N通道（双）FET类型中工作，该器件还可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供630pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@9A，10V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V。
AON7902是MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN-EP（3.3x3.3）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于21mOhm@8A，10V，提供1.8W等最大功率特性，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及8-PowerWDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供710pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有11nC@110V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A，13A。
AON7900是MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN，包括8A、13A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于11nC@10V，除了710pF@15V输入电容Ciss Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-PowerWDFN封装盒，该设备具有Digi-ReelR封装，最大功率为1.8W，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@8A，10V，供应商设备封装为8-DFN-EP（3.3x3.3），Vgsth最大Id为2.3V@250μA。
