9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US6J2TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US6J2TR价格参考0.71000美元。Rohm Semiconductor US6J2TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6。您可以下载US6J2TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US6J11TR是MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6，包括US6J11系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在UMT6供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为320mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为290pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，最大Id Vgs的Rds为260 mOhm@1.3A，4.5V，Vgs最大Id为1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为2.4nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，并且Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为1.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为2.4nC，正向跨导Min为1.4S，信道模式是增强。
US6J2PAK是ACS LPSJ 60A 2极组装套件，包括2 LFPSJ601.Z型的组装套件，设计用于散装包装。
US6J2，电路图由ROHM制造。US6J2采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
