9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AOD607，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AOD607参考价格为0.544美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AOD607封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252。您可以下载AOD607英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AOD603A是MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-252-5、DPak（4引线+接线片）、to-252AD封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，通用漏极FET类型，该器件也可以用作2W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供540pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.5A，3A，最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@12A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V。
AOD606是MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-252-4L供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于33 mOhm@8A，10V，提供功率最大功能，如1.6W，1.7W，封装设计用于Digi ReelR，以及to-252-5，DPak（4引线+标签），to-252AD封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供404pF@20V输入电容Cis Vds，器件具有9.2nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
AOD604是MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5，包括8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计用于9.2nC@10V，以及404pF@20V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用TO-252-6、DPak（5引线+接线片）封装盒，该设备具有Digi-ReelR封装，最大功率为1.6W、1.7W，Rds On Max Id Vgs为33mOhm@8A、10V，供应商设备封装为TO-252-5，Vgs th Max Id为3V@250μa。
