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AON2810带有引脚细节,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于6-WDFN暴露焊盘封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于6-DFN(2x2)以及2 N通道(双)FET类型,该器件还可以用作2.5W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为30V,该器件提供235pF@15V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性的逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为2A,最大Id Vgs上的Rds为44mOhm@2A,10V,Vgs最大Id为1.4V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为10nC@10V。
AON2812是MOSFET 2N-CH 30V 4.5A,包括1.4V@250μA Vgs th Max Id,它们设计为与6-DFN-EP(2x2)供应商设备包一起工作,系列如数据表注释所示,用于AlphaMOS,提供Rds on Max Id Vgs功能,如37 mOhm@2A,10V,Power Max设计为2.5W,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可用作6-UDFN暴露焊盘封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有235pF@15V输入电容Cis-Vds,栅极电荷Qg-Vgs为10nC@10V,FET类型为2N通道(双通道),FET特性为逻辑电平门,漏极-源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
AON2809是MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN,包括2A电流连续漏极Id 25°C,它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作,数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性,该逻辑电平门提供FET类型特性,如2 P通道(双),栅极电荷Qg Vgs设计为在4.4nC@4.5V下工作,以及415pF@6V输入电容Cis Vds,该设备也可以用作表面安装型,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备采用6-WDFN暴露式衬垫包装盒,该设备具有包装胶带和卷轴(TR),最大功率为2.1W,最大Id Vgs的Rds为68 mOhm@2A,4.5V,供应商设备包装为6-DFN-EP(2x2),Vgs最大Id为900mV@250μa。