9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7507PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7507PBF参考价格为0.476美元。Infineon Technologies IRF7507PBF封装/规格：MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8。您可以下载IRF7507PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7506TRPBF是MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8，包括HEXFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-TSSOP、，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），该技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件也可以用作表面安装安装型。此外，信道数量为2信道，该器件采用Micro8？供应商设备包，该器件具有双通道配置，FET类型为2 P信道（双通道），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为180pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.7A，最大Id Vgs的Rds为270 mOhm@1.2A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@10V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.3 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为270 mOhms，并且晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为9.7ns，Qg栅极电荷为7.5nC，正向跨导Min为0.92S，沟道模式为增强。
IRF7506TR是MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于MICRO8？供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如270 mOhm@1.2A，10V，Power Max设计用于1.25W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有180pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为1.7A。
IRF7507带有由IR制造的电路图。IRF7507在MSOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
