9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6910A，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6910A参考价格$2.437。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6910A封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN。您可以下载AON6910A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6908A是MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-PowerVDFN封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作1.9W、2.1W的最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1110pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为11.5A、17A，最大Id Vgs的Rds为8.9mOhm@11.5A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V。
AON6906A是MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于14.4 mOhm@9.1A，10V，提供1.9W，2W等功率最大功能，封装设计用于磁带和卷轴（TR）以及8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供670pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有9nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为9.1A，10A。
AON6910是由AOS制造的MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN。AON6910采用8-PowerVDFN封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN。
