9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6922，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6922参考价格为1.574美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6922封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN。您可以下载AON6922英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6918是MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与8-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于8-DFN-EP（5x6）以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作2W、2.2W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为25V，该器件提供1560pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为15A、26.5A，最大Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs th最大Id为2.3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V。
带用户指南的AON6920_001，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于5.2 mOhm@20A、10V，提供2W、2.2W等功率最大功能，封装设计用于批量工作，以及8-PowerWDFN封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1560pF@15V输入电容Cis Vds，该器件具有21nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为15A，26.5A。
AON6912L，电路图由AOS制造。AON6912L采用DFN-85X6封装，是IC芯片的一部分。
