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AON7826是MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商器件封装设计为在8-DFN(3x3)以及2 N通道(双)FET类型中工作,该器件还可以用作3.1W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为20V,该器件提供630pF@10V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性的逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为9A,最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@9A,10V,Vgs最大Id为1.1V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V。
AON7900是MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN,包括2.3V@250μA Vgs th Max Id,它们设计用于与8-DFN-EP(3.3x3.3)供应商设备包一起工作,Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示,用于21mOhm@8A,10V,提供1.8W等功率最大特性,包装设计用于Digi-ReelR,以及8-PowerWDFN封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供710pF@15V输入电容Cis-Vds,该器件具有11nC@110V栅极电荷Qg-Vgs,FET类型为2 N沟道(半桥),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为8A,13A。
AON7820是MOSFET 2N-CH 20V 8DFN,包括20V漏极到源极电压Vdss,它们设计用于逻辑电平栅极FET功能,FET类型如数据表注释所示,用于2 N沟道(双)公共漏极,提供22nC@4.5V的栅极电荷Qg-Vgs功能,输入电容Cis-Vds设计用于2065pF@10V,它的工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,包装箱为8-PowerSMD,扁平引线,设备采用磁带和卷轴(TR)包装,设备最大功率为3.1W,供应商设备包装为8-DFN(3x3),Vgs最大Id为1V@250μa。