FF45MR12W1M1PB11BPSA1

规格参数

• 部件状态 可供货
• 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 场效应管特性 碳化硅（SiC）
• 漏源电压标 (Vdss) 1200V（1.2千伏）
• 安装类别 机箱安装
• 包装/外壳 模块
• 场效应管类型 2个N通道（双通道）
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Tj）
• 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 25A, 15V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.55V @ 10毫安
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62nC @ 15V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1.84nF@800V
• 最大功率 20mW（Tc）
• 供应商设备包装 AG-EASY1BM