9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FD6M045N06，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FD6M045N06参考价格1.886美元。onsemi FD6M045N06封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15。您可以下载FD6M045N06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FD6M016N03是MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15，包括功率SPM？系列，它们设计用于管包装，包装盒如数据表注释所示，用于EPM15，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于通孔，以及EPM15供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供11535pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，电流连续漏极Id 25°C为80A，最大Id Vgs上的Rds为1.6mOhm@40A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为295nC@10V。
FD6M033N06是MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与EPM15供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于功率SPM？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如3.3mOhm@40A，10V，包装设计用于管内，以及EPM15包装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供6010pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有129nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为73A。
FD6M043N08是MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15，包括65A电流连续漏极Id 25°C，设计用于75V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于148nC@10V，以及6180pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作通孔安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备采用EPM15封装盒，该设备具有一个封装管，最大Id Vgs的Rds为4.3 mOhm@40A，10V，该系列为Power SPM？，供应商设备包为EPM15，Vgs th Max Id为4V@250μA。
