9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA60R190E6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA60R190E6参考价格为1.54000美元。Infineon Technologies IPA60R190E6封装/规格：600V 0.19OHM N沟道MOSFET。您可以下载IPA60R190E6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPA60R190C6XKSA1带有引脚细节，包括XPA60R190系列，它们设计用于管式包装，零件别名显示在IPA60R190 C6 IPA60R190-C6XK SP000621152中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.090478盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为34 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为59A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为63nC，并且信道模式是增强。
IPA60R190C6是MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CoolMOS C6，上升时间为11 ns，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为34 W，部件别名为IPA60R190C6XK IPA60R190 C6XKSA1 SP000621152，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20.2 A，下降时间为9 ns。
带有电路图的IPA60R180C7XKSA1，包括TO-220-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了零件别名，用于IPA60R180 C7 SP001296216，该产品提供Si等技术特性。
