9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7303QTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7303QTR参考价格为0.878美元。Infineon Technologies AUIRF7303QTR封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC。您可以下载AUIRF7303QTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF7103QTR是MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2.4W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为255pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A，Rds On Max Id Vgs为130 mOhm@3A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为2.4W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.3 ns，上升时间为1.7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Vgs第栅极-源极端阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为200 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是15ns，并且典型接通延迟时间是5.1ns，并且Qg栅极电荷是10nC，并且正向跨导Min是3.4S，并且沟道模式是增强。
AUIRF7207QTR是MOSFET AUTO-20V 1 N-CH HEXFET 60欧姆，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为43 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在24 ns上升时间内提供，该器件具有60 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为15 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，Id连续漏极电流为-5.4A，下降时间为41ns，配置为单一，通道模式为增强。
AUIRF7303Q是MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC，包括5.3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于21nC@10V，除了515pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件采用管交替封装，最大功率为2.4W，最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@2.7A，10V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为3V@100μa。
