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AO9926B是MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供630pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为7.6A，最大Id Vgs的Rds为23mOhm@7.6A，10V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为12.5nC@10V。
AO9926BL是MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于23 mOhm@7.6A，10V，提供2W等功率最大功能，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供630pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有12.5nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2N通道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7.6A。
主动脉9926b。电路图由AOS制造。AO9926B。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
AO9926B/AO9926具有由AO制造的EDA/CAD模型。AO9926B/AO9926采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
