9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF9952QTR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF9952QTR参考价格为0.626美元。Infineon Technologies AUIRF9952QTR封装/规格:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO。您可以下载AUIRF9952QTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如AUIRF9952QTR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
AUIRF9952Q是MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO,包括HEXFETR系列,它们设计为与管交替封装一起工作,数据表注释中显示了用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)的包装箱,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及8-SO供应商设备包,该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外,功率最大值为2W,器件提供30V漏极到源极电压Vdss,器件具有190pF@15V的输入电容Cis-Vds,FET特性为逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为3.5A、2.3A,Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@2.2A、10V,Vgs th Max Id为3V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为14nC@10V。
AUIRF9540N是MOSFET AUTO-100V 1 P-CH HEXFET 117mOhms,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供晶体管类型功能,如1个P沟道,晶体管极性设计为在P沟道中工作,以及Si技术,该器件也可以用作117毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为64.7 nC,该器件提供140 W Pd功耗,该器件具有封装管,封装盒为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,Id连续漏电流为-23 a,配置为单通道。
带有电路图的AUIRF9952QPBF AUIRF995 2QPBF在SOP-8封装中提供,是IC芯片的一部分。