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AON3611是MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于8-SMD、扁平引线封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商器件封装设计用于8-DFN(2.9x2.3)以及N和P通道,通用漏极FET类型,该器件也可以用作2.1W、2.5W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为30V,该器件提供170pF@15V输入电容Ciss Vds,该器件具有FET特性的逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为5A、6A,最大Id Vgs为50 mOhm@5A、10V,Vgs th最大Id为2.5V@250μa,栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V。
AON3613是MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN,包括1.5V@250μA Vgs th Max Id,它们设计用于8-DFN(2.9x2.3)供应商器件封装,Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中,用于52 mOhm@4.5A,10V,提供功率最大功能,如2.1W,封装设计用于Digi-ReelR替代封装,以及8-SMD扁平引线封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供245pF@15V输入电容Cis Vds,该器件具有10nC@10V栅极电荷Qg Vgs,FET类型为N和P沟道,公共漏极,FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
AON3702,电路图由AOS制造。AON3702采用DFN3x3封装,是IC芯片的一部分。