9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7304Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7304Q价格参考1.918美元。Infineon Technologies AUIRF7304Q封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC。您可以下载AUIRF7304Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF7303QTR是MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为2.4W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为515pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.3A，最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@2.7A，10V，Vgs最大Id为3V@100μA，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@10V，Pd功耗为2W，其最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7.7ns，上升时间为21ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为6.8ns，Qg栅极电荷为16.7nC，信道模式为增强。
AUIRF7303Q是MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC，包括3V@100μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如50 mOhm@2.7A，10V，功率最大设计为2.4W，以及管替代封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有515pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为5.3A。
AUIRF7303QTRPBF带有由IR制造的电路图。AUIRF7303 QTRPBF以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
