9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8601M-P-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8601M-P-TL-H参考价格为0.69美元。onsemi ECH8601M-P-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH ECH8。您可以下载ECH8601M-P-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ECH8690-TL-H，带引脚细节，包括ECH8690系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-ECH供应商设备包中提供，该设备具有FET类型的N和P信道，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为955pF@220V，FET特性为逻辑电平门，4V驱动，电流连续漏极Id 25°C为4.7A，3.5A，Rds开启最大Id Vgs为55mOhm@2A，10V，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Id连续漏极电流为4.7A 3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds打开漏极-漏极电阻为55m欧姆94mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道。
ECH8675-TL-H是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8，包括8-ECH供应商器件封装，它们设计为在46 mOhm@3A、4.5V Rds On Max Id Vgs下工作，数据表备注中显示了用于1.5W的最大功率，该封装具有磁带和卷轴（TR）等封装功能，封装外壳设计为在8-SMD、扁平导线中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，输入电容Ciss Vds为670pF@10V，该器件提供7.3nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2个P通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
ECH8674-TL-H，带有SANYO制造的电路图。ECH8674-TL-H采用ECH8封装，是IC芯片的一部分。
