9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRF7319Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRF7319Q价格参考1.722美元。Infineon Technologies AUIRF7319Q封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC。您可以下载AUIRF7319Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRF7316QTR是MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为710pF@25V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为58mOhm@4.9A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为34nC@10V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为32 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-4.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-3 V，Rds导通漏极-源极电阻为58mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为23nC，沟道模式为增强。
AUIRF7316Q是MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如58 mOhm@4.9A，10V，功率最大设计为2W，以及管交替封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有710pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为34nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V。
AUIRF7316QTRPBF，电路图由30000IR制造。AUIRF7316QTRPBF采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
