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AOD603A是MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-252-5、DPak（4引线+接线片）、to-252AD封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，通用漏极FET类型，该器件也可以用作2W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供540pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.5A，3A，最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@12A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V。
AOD607是MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-252-4L供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于25 mOhm@12A，10V，提供功率最大功能，如2.1W，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及to-252-5、DPak（4引线+标签）、to-252AD封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1250pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有25nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为N和P沟道，公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为12A。
AOD606是MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4，包括8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P沟道、公共漏极、栅极电荷Qg Vgs设计用于9.2nC@10V，除了404pF@20V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件提供TO-252-5、DPak（4引线+接线片）、TO-252AD封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为1.6W、1.7W，最大Id Vgs的Rds为33mOhm@8A、10V，供应商设备包为TO-252-4L，Vgs th Max Id为3V@250μA。
AOD604是MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5，包括TO-252-6、DPak（5引线+接线片）封装盒，它们设计用于与TO-252-5供应商器件封装一起工作。安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供N和P沟道等FET类型功能，FET功能设计用于逻辑电平门，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作9.2nC@10V栅极电荷Qg-Vgs。此外，25°C的电流连续漏极Id为8A，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件的漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为404pF@20V，Vgs最大Id为3V@250μa，Rds最大Id Vgs为33mOhm@8A，10V，功率最大值为1.6W，1.7W。
