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FDS8935

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥4.96863
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.97
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 部件状态 过时的
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 80V
  • 最大功率 1.6瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.1A
  • 导通电阻 Rds(ON) 183毫欧姆@2.1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 879皮法 @ 40V

FDS8935 产品详情

该P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺针对rDS(开启)、开关性能和耐用性进行了优化。

特色

  • VGS=-10 V,ID=-2.1 A时,最大rDS(开)=183 mΩ
  • VGS=-4.5 V,ID=-1.9 A时,最大rDS(开)=247 mΩ
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 广泛使用的表面安装封装具有高功率和电流处理能力
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 负载开关
  • 同步整流器
FDS8935所属分类:场效应晶体管阵列,FDS8935 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8935价格参考¥4.968629,你可以下载 FDS8935中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8935规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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