9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8651R-TL-HX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8651R-TL-HX参考价格为0.596美元。onsemi ECH8651R-TL-HX封装/规格：MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8。您可以下载ECH8651R-TL-HX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8651R-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8，包括ECH8651L系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-ECH供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.5W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为24V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为10A，Rds On最大Id Vgs为14mOhm@5A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为24V，漏极-源极电阻Rds为14mOhms，晶体管极性为N沟道。
ECH8651R-R-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8，包括24 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于8-ECH，以及ECH8651L系列，该器件还可以用作漏极-源极电阻上的14mOhms Rds。此外，Pd功耗为1.4W，该器件采用磁带和卷轴（TR）封装，该器件具有8-SMD，封装盒扁平引线，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Id连续漏电流为10A。
ECH8649-TL-H是MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8，包括7.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在10.8nC@4.5V下工作，除了1060pF@10V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷盘（TR），最大功率为1.5W，最大Id Vgs上的Rds为17mOhm@4A，4.5V，供应商器件封装为8-ECH。
