9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6936，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6936参考价格为0.544美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6936封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN。您可以下载AON6936英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如AON6936价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AON6934是MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN，包括Digi-ReelR交替封装封装，它们设计为使用8功率VDFN封装盒工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（5x6）以及2 N沟道（半桥）FET类型中工作，该器件还可以用作3.6W、4.3W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1037pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为22A、30A，最大Id Vgs上的Rds为5.2mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V。
AON6934A是MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于5.2 mOhm@20A，10V，提供3.6W，4.3W等最大功率特性，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1037pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有22nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为22A，30A。
AON6932A是MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN，包括22A、36A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于22nC@10V，除了1037pF@15V输入电容Cis-Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-PowerVDFN封装盒，该设备具有带卷式封装（TR），最大功率为3.6W、4.3W，最大Id Vgs的Rds为5mOhm@20A、10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6），Vgsth最大Id为2.2V@250μA。
