旨在最大限度地减少功率转换损失,同时保持优异的开关性能
用于极低RDS的高性能Trench技术(开启)
同步FET™ 得益于高效的肖特基体二极管
在同步整流DC-DC转换器、电机驱动器、网络负载点低侧开关中的应用
特色
- Q2优化以最小化传导损耗包括SyncFET肖特基体二极管8.6A,30VMax。RDS(开启)=13.5 mΩ,VGS=10 VMax。RDS(开启)=16.5 mΩ,VGS=4.5 V低栅极电荷(典型值为21nC)
- Q1针对低开关损耗进行了优化6.3A,30VMax。RDS(开启)=28.0 mΩ,VGS=10 VMax。RDS(开启)=35.0 mΩ,VGS=4.5 V低栅极电荷(典型值为11nC)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
- 笔记本