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FDS6982AS_G
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FDS6982AS_G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A, 8.6A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.66395
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.66
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 900mW
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.3A, 8.6A
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A, 3V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.3A、10V时为28毫欧姆,8.6A、10V时为13.5毫欧姆
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 610皮法 @ 10V, 1250皮法 @ 10V

FDS6982AS_G 产品详情

PowerTrench®SyncFET™ 双MOSFET,Fairchild半导体

旨在最大限度地减少功率转换损失,同时保持优异的开关性能
用于极低RDS的高性能Trench技术(开启)
同步FET™ 得益于高效的肖特基体二极管
在同步整流DC-DC转换器、电机驱动器、网络负载点低侧开关中的应用

特色

  • Q2优化以最小化传导损耗包括SyncFET肖特基体二极管8.6A,30VMax。RDS(开启)=13.5 mΩ,VGS=10 VMax。RDS(开启)=16.5 mΩ,VGS=4.5 V低栅极电荷(典型值为21nC)
  • Q1针对低开关损耗进行了优化6.3A,30VMax。RDS(开启)=28.0 mΩ,VGS=10 VMax。RDS(开启)=35.0 mΩ,VGS=4.5 V低栅极电荷(典型值为11nC)

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 笔记本
FDS6982AS_G所属分类:场效应晶体管阵列,FDS6982AS_G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS6982AS_G价格参考¥5.663948,你可以下载 FDS6982AS_G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS6982AS_G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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