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FDS8958B_G
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FDS8958B_G

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A, 4.5A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1.94689
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.95
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管特性 标准
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 最大功率 900mW
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.4A, 4.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.4A、10V时为26毫欧姆,4.5A、10V时为51毫欧姆
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 540皮法 @ 15V, 760皮法 @ 15V

FDS8958B_G 产品详情

这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用,其中需要低在线功率损耗和快速切换。

特色

  • Q1 N信道最大值。RDS(开启)=26 mΩ,VGS=10 V,ID=6.4 A最大值。RDS(开启)=39 mΩ,VGS=4.5 V,ID=5.2 A
  • Q2 P信道最大值。RDS(开启)=51 mΩ,VGS=-10 V,ID=-4.5 A最大值。RDS(开启)=80 mΩ,VGS=-4.5 V,ID=-3.3 A
  • HBM ESD保护等级>3.5 kV
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC-DC转换
  • BLU和电机驱动逆变器
FDS8958B_G所属分类:场效应晶体管阵列,FDS8958B_G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8958B_G价格参考¥1.946892,你可以下载 FDS8958B_G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8958B_G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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