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FDC6301N_G
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FDC6301N_G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥8.45971
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.46
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大功率 700mW
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
  • 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 400毫安, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.5皮法 @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安

FDC6301N_G 产品详情

这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件特别设计用于低压应用,作为数字晶体管的替代品。由于不需要偏置电阻器,这些N沟道FET可以用各种偏置电阻器代替几个数字晶体管。

特色

  • 25 V,0.22 A连续,0.5 A峰值
  • RDS(开)=5Ω@VGS=2.7 V
  • RDS(开)=4Ω@VGS=4.5 V
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作。VGS(th)<1.5V
  • 栅极-源极齐纳,用于ESD加固。>6kV人体模型

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC6301N_G所属分类:场效应晶体管阵列,FDC6301N_G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC6301N_G价格参考¥8.459707,你可以下载 FDC6301N_G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC6301N_G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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