9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6973A，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6973A参考价格为0.752美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6973A封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN。您可以下载AON6973A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6946带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为使用8 PowerVDFN封装盒操作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为使用8-DFN（5x6）以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作3.5W、3.9W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供485pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为14A、18A，最大Id Vgs为11.6 mOhm@13A、10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V。
AON6970是MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-DFN-EP（5x6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于SRFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如5.4mOhm@20A，10V，Power Max设计为5W，4.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-PowerWDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有1171pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为23nC@110V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为24A，42A。
AON6971是MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN，包括23A、40A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于23nC@10V，除了1010pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8功率WDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为5W，4.1W，最大Id Vgs上的Rds为5.7mOhm@20A，10V，系列为SRFET？，供应商设备包为8-DFN-EP（5x6），Vgs th Max Id为2.2V@250μA。
