9icnet为您提供德州仪器公司设计和生产的TPS1120DR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TPS1120DR参考价格为2.20000美元。德州仪器TPS1120DR封装/规格：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC。您可以下载TPS1120DR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TPS1120D是MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC，包括TPS1120系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002677盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOIC，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），功率最大值为840mW，晶体管类型为2 P沟道，漏极到源极电压Vdss为15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.17A，最大Id Vgs的Rds为180 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.45nC@10V，Pd功耗为840 mW，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为-15 V 2 V，Id连续漏极电流为1.17 A，Vds漏极-源极击穿电压为15 V，Rds漏极源极电阻为180 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为4.5ns，信道模式为增强。
TPS1120DG4是MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SOIC供应商器件封装一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于180 mOhm@1.5A，10V，提供840mW等最大功率特性，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供5.45nC@10V栅极电荷Qg Vgs，器件具有2个P通道（双通道）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为15V，25°C的电流连续漏极Id为1.17A。
TPS1120，电路图由SOP8制造。TPS1120在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
