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BLF2425M7LS100J带有引脚细节,包括RF功率MOSFET类型,它们设计为使用卷轴封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SOT-502B-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及13 V Vgs栅源电压,该器件也可以用作900 mA Id连续漏电流。此外,Vds漏极-源极击穿电压为65 V,器件提供100 mOhms Rds漏极源极电阻。
BLF2425M7LS100U带有用户指南,包括13 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在65 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,类型如数据表注释所示,用于RF功率MOSFET,提供Si、Rds等技术特性,漏极-漏极电阻设计为在100 mOhms下工作,该装置也可用作SOT-502B-3包装箱。此外,安装类型为SMD/SMT,该器件提供900 mA Id连续漏电流。
BLF2425M7L250P、112是NXP制造的晶体管RF功率LDMOST。BLF2425M7L250P,112以SOT539A封装形式提供,是RF FET的一部分,支持TRANSISTOR RF POWER LDMOST、RF Mosfet LDMOS(双)、公共电源28V 20mA 2.45GHz 15dB 250W SOT539A、Trans RF Mosfet N-CH 65V 5引脚SOT-539A泡罩、RF Mosfet晶体管2.4-2.5GHz 65V 12dB。
BLF2425M7LS140112是NXP制造的晶体管RF功率LDMOST。BLF2425M7LS140112采用SOT-502B封装,是RF FET的一部分,支持TRANSISTOR RF POWER LDMOST、RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.45GHz 18.5dB 140W SOT502B、Trans RF Mosfet N-CH 65V 3引脚SOT-502A泡罩、RF Mosfet晶体管2.4-2.5GHz 65V 12dB。