高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结FET)是利用具有不同带隙(即异质结)的两种材料作为沟道而不是MOSFET中使用的掺杂区的结FET。HEMT晶体管表现出良好的高频特性,通常用于小信号低噪声RF应用。
HEMT、HFET、HJ-FET和MODFET都是用来描述这类晶体管的术语。
NE3514S02-A
- 描述:晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 20GHz 供应商设备包装: S02
- 品牌: 赛尔集团 (CEL)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 输出端功率 -
- 晶体管类别 异质结场效应晶体管
- 包装/外壳 4-SMD,扁平引线
- 增益 10分贝
- 电流检测值 10毫安
- 频率 20GHz
- 电压检测值 2伏
- 额定电流(单位:安培) 70毫安
- 额定电压 4伏
- 制造厂商 赛尔集团 (CEL)
- 供应商设备包装 S02
- 噪声系数 0.75分贝
NE3514S02-A 产品详情
瑞萨N通道HEMT
NE3514S02-A所属分类:场效应射频晶体管,NE3514S02-A 由 赛尔集团 (CEL) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NE3514S02-A价格参考¥429.098368,你可以下载 NE3514S02-A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NE3514S02-A规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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