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品牌介绍

作为一家拥有60多年历史的无线技术公司的一部分,连接团队15年来一直在为原始设备制造商提供一流的无线电解决方案。他们的产品专长是短程无线解决方案,例如?ZigBee、蓝牙、Wi-Fi还是组合?技术。CEL的射频组件为OEM提供了市场上一些最小的封装和最高性能的设备。无论是哪种产品,他们位于美国的团队都与客户密切合作,以确定为其应用程序提供最佳解决方案的理想技术,为他们在无线技术带来的挑战中提供有力支持,并为客户提供同类产品中最高质量和性能的产品。利用这些解决方案,公司能够快速进入市场,提供世界一流的性能终端产品,并在全球竞争。

英文全称: CEL

中文全称: 赛尔集团

英文简称: CEL

品牌地址: http://www.cel.com/

久芯自营
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描述
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CE3521M4-C2
CE3521M4-C2
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 20GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Super Mini Mold

¥9.56063

1186

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.56063

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CE3520K3-C1
CE3520K3-C1
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 20GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Micro-X

¥10.71949

6027

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.71949

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CE3514M4-C2
CE3514M4-C2
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 68毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Super Mini Mold

¥5.93918

45117

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.93918

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CE3512K2-C1
CE3512K2-C1
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Micro-X

¥7.67747

40616

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.67747

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CE3512K2
CE3512K2
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Micro-X

¥10.06763

1646

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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NE5520379A-T1A-A
NE5520379A-T1A-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 15伏 额定电流(单位:安培): 1.5A 频率: 915MHz 输出端功率: 35.5分贝m 供应商设备包装: 79A

¥383.52604

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥383.52604

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NE3509M04-T2-A
NE3509M04-T2-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 60毫安 频率: 2GHz 输出端功率: 11分贝m 供应商设备包装: M04

¥129.87968

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥129.87968

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NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 97毫安 频率: 4GHz 供应商设备包装: M04

¥220.56079

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥220.56079

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NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: S02

¥1,886.63323

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,886.63323

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NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 88毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 14分贝m 供应商设备包装: S02

¥523.54434

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥523.54434

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NE3510M04-A
NE3510M04-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 97毫安 频率: 4GHz 输出端功率: 11分贝m 供应商设备包装: M04

¥700.54657

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥700.54657

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NE5550779A-T1-A
NE5550779A-T1-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 30伏 额定电流(单位:安培): 2.1A 频率: 900MHz 输出端功率: 38.5分贝m 供应商设备包装: 79A

¥1,278.37475

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,278.37475

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NE5550979A-T1-A
NE5550979A-T1-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 30伏 额定电流(单位:安培): 3A 频率: 900MHz 输出端功率: 38.6分贝m 供应商设备包装: 79A

¥434.05251

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥434.05251

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NE3513M04-T2-A
NE3513M04-T2-A
晶体管类别: N通道GaAs HJ-FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 60毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: M04

¥373.87560

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥373.87560

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NE350184C
NE350184C
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 20GHz 供应商设备包装: 84C

¥648.84795

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥648.84795

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NE34018-T1-64-A
NE34018-T1-64-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 120毫安 频率: 2GHz 输出端功率: 12分贝m 供应商设备包装: SOT-343

¥282.53307

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥282.53307

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NE3503M04-A
NE3503M04-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: M04

¥120.78260

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥120.78260

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NE3503M04-T2-A
NE3503M04-T2-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: M04

¥813.96255

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥813.96255

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NE3508M04-T2-A
NE3508M04-T2-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 120毫安 频率: 2GHz 输出端功率: 18分贝m 供应商设备包装: F4TSMM,M04

¥1,500.95631

9000

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- +

合计: ¥1,500.95631

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NE3512S02-A
NE3512S02-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: S02

¥319.67553

9000

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合计: ¥319.67553

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