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品牌介绍

作为一家拥有60多年历史的无线技术公司的一部分,连接团队15年来一直在为原始设备制造商提供一流的无线电解决方案。他们的产品专长是短程无线解决方案,例如?ZigBee、蓝牙、Wi-Fi还是组合?技术。CEL的射频组件为OEM提供了市场上一些最小的封装和最高性能的设备。无论是哪种产品,他们位于美国的团队都与客户密切合作,以确定为其应用程序提供最佳解决方案的理想技术,为他们在无线技术带来的挑战中提供有力支持,并为客户提供同类产品中最高质量和性能的产品。利用这些解决方案,公司能够快速进入市场,提供世界一流的性能终端产品,并在全球竞争。

英文全称: CEL

中文全称: 赛尔集团

英文简称: CEL

品牌地址: http://www.cel.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 20GHz 供应商设备包装: S02

¥3,868.07075

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,868.07075

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NE55410GR-T3-AZ
NE55410GR-T3-AZ
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 250毫安,1A 频率: 2.14GHz 输出端功率: 35.4分贝m 供应商设备包装: 16-HTSSOP

¥233.77184

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥233.77184

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NE650103M-A
NE650103M-A
晶体管类别: 金属半导体场效应晶体管 额定电压: 15伏 额定电流(单位:安培): 5A 频率: 2.3GHz 输出端功率: 40分贝m 供应商设备包装: 3M

¥137.31814

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.31814

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NE651R479A-T1-A
NE651R479A-T1-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 8 V 额定电流(单位:安培): 1A 频率: 1.9GHz 输出端功率: 27分贝m 供应商设备包装: 79A

¥643.67652

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥643.67652

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NE5531079A-A
NE5531079A-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 30伏 额定电流(单位:安培): 3A 频率: 460兆赫 输出端功率: 40分贝m 供应商设备包装: 79A

¥1,983.66633

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,983.66633

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NE3511S02-A
NE3511S02-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: S02

¥74.55841

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.55841

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NE3514S02-A
NE3514S02-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 20GHz 供应商设备包装: S02

¥429.09837

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥429.09837

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NE3503M04-T2B-A
NE3503M04-T2B-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: M04

¥383.34642

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥383.34642

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NE3513M04-T2B-A
NE3513M04-T2B-A
晶体管类别: N通道GaAs HJ-FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 60毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Super Mini Mold

¥416.92948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥416.92948

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NE3515S02-T1D-A
NE3515S02-T1D-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 88毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 14分贝m 供应商设备包装: S02

¥132.97964

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥132.97964

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NE3517S03-T1C-A
NE3517S03-T1C-A
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 20GHz 供应商设备包装: S03

¥920.48568

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥920.48568

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NE5511279A-T1-A
NE5511279A-T1-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 20伏 额定电流(单位:安培): 3A 频率: 900MHz 输出端功率: 40分贝m 供应商设备包装: 79A

¥308.74165

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥308.74165

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CE3514M4
CE3514M4
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Super Mini Mold

¥5.49736

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,099.47220

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CE3521M4
CE3521M4
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 20GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Super Mini Mold

¥8.02224

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,604.44720

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NE3521M04-T2-A
NE3521M04-T2-A
晶体管类别: N通道GaAs HJ-FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 20GHz

¥790.64945

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥790.64945

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NE552R679A-A
NE552R679A-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 3伏 额定电流(单位:安培): 350毫安 频率: 460兆赫 输出端功率: 28dbm 供应商设备包装: 79A

¥502.84204

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥502.84204

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NE552R679A-T1A-A
NE552R679A-T1A-A
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 3伏 额定电流(单位:安培): 350毫安 频率: 460兆赫 输出端功率: 28dbm 供应商设备包装: 79A

¥127.34467

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥127.34467

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NE3210S01
NE3210S01
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: SMD

¥251.12583

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥251.12583

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NE4210S01
NE4210S01
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: SMD

¥273.40267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥273.40267

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NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 15毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: SMD

¥776.98065

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥776.98065

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