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NE3512S02-T1C-A是HJ-FET NCH 13.5DB S02，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于S0-2，提供GaAs等技术特性，晶体管类型设计用于HFET，以及13.5DB增益，该器件还可用作165 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+125℃，器件的工作频率为12 GHz，器件具有70 mA的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为4 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为55 mS，Vgs栅极-源击穿电压为-3 V，NF噪声系数为0.35 dB。
NE3512S02-T1D-A是RF JFET晶体管SUPER低噪声伪morpHIc HJ FET，包括-3 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在4 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表中显示了用于HFET的晶体管类型，该HFET提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，该设备还可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为S0-2，器件工作频率为12 GHz，器件的NF噪声系数为0.35 dB，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为70 mA，增益为13.5 dB，正向跨导最小值为55 mS。
NE3512S02-T1D，带有NEC制造的电路图。NE3512S02-T1D采用TO-50封装，是IC芯片的一部分。
NE3512S02-T1D-A/JT，带有NEC制造的EDA/CAD模型。NE3512S02-T1D-A/JT采用TO-50封装，是IC芯片的一部分。
