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NE3515S02-A是RF JFET晶体管X至Ku波段超低噪声放大器N-CH，包括切割带封装，设计用于SMD/SMT安装方式，封装情况如数据表注释所示，用于S0-2，提供GaAs等技术特性，晶体管类型设计用于pHEMT，以及12.5 dB增益，该器件还可以用作165 mW Pd功率耗散，其最大工作温度范围为+125 C，该器件以12 GHz工作频率提供，该器件具有88 mA的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为4 V，正向跨导最小值为70 mS，Vgs栅极-源极电压为-3 V，NF噪声系数为0.3dB，P1dB压缩点为14dBm。
NE3515S02-T1C-A是FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02，包括-3 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在4 V Vds漏极-源极-漏极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于pHEMT的晶体管类型，其提供了GaAs、Pd等技术特性，该装置也可用作S0-2包装箱。此外，P1dB压缩点为14 dBm，该设备提供12 GHz工作频率，该设备具有0.3 dB的NF噪声系数，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为88 mA，增益为12.5 dB，正向跨导最小值为70 mS。
NE3515S02-T1D-A是RF JFET晶体管超低噪声伪晶型，包括70 mS正向跨导最小值，它们设计为在12.5 dB增益下工作，数据表注释中显示了用于88 mA的Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+125 C，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及0.3 dB NF噪声系数，该设备也可以用作12GHz工作频率。此外，P1dB压缩点为14dBm，该器件采用S0-2封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为165mW，技术为GaAs，晶体管类型为pHEMT，Vds漏极-源极击穿电压为4V，Vgs栅极-源击穿电压为-3V。
NE3514S02-T1D-A是RF JFET晶体管SUPER低噪声伪morpHIc HJ FET，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为与S0-2封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供晶体管类型功能，如pHEMT，技术设计用于GaAs，以及70 mA Id连续漏电流，该器件还可以用作55 mS正向跨导最小值。此外，Vds漏极-源极击穿电压为4 V，该器件在20 GHz工作频率下提供，该器件具有165 mW的Pd功耗，增益为10 dB，NF噪声系数为0.75 dB，其最大工作温度范围为+125 C，Vgs栅源击穿电压为-3 V。
