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AON3814是MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-SMD扁平引线封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（2.9x2.3）以及2 N沟道（双）公共漏极FET类型中工作，该器件还可以用作2.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供1100pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，最大Id Vgs为17mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@4.5V。
AON3812带有AO制造的用户指南。AON3812采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
AON3814L，电路图由AOS制造。AON3814L采用DFN3x3-8封装，是IC芯片的一部分。
