9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMC1028UFDB-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC1028UFDB-13参考价格0.31500美元。Diodes Incorporated DMC1028UFDB-13封装/规格：MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN。您可以下载DMC1028UFDB-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC1017UPD-13带有引脚细节，包括DMC1017系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2通道数量的通道，设备具有供应商设备包的PowerDI5060-8，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为2.3W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss Vds为1787pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.5A、6.9A，最大Id Vgs为17mOhm@11.8A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为35.4nC@10V，Pd功耗为2.3W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为9.5 A-6.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Vgs第th栅极-源阈值电压为0.6 V至1.5 V，Rds漏极源极电阻为17 mΩ32 mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，Qg栅极电荷为18.6 nC，并且信道模式是增强。
带用户指南的DMC1018UPD-13，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerDI5060-8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于汽车AEC-Q101，提供Rds on Max Id Vgs功能，如17mOhm@11.8A、4.5V，Power Max设计为2.3W，以及Digi-ReelR替代包装，该器件也可以用作8功率TDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1525pF@6V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为30.4nC@8V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为12V、20V，25°C的电流连续漏电流Id为9.5A、6.9A。
带电路图的DMC1016UPD-13，包括9.5A、8.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V、20V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在32nC@8V下工作，以及1454pF@6V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-PowerTDFN封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，功率最大值为2.3W，最大值Vgs为17mOhm@11.8A，4.5V，供应商设备封装为PowerDI5060-8，Vgs最大值为1.5V@250μa。
DMC1015UPD-13，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于标准FET功能，数据表说明中显示了用于PowerDI5060-8的供应商设备包，提供N和P通道等FET类型功能，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及9.5A、6.9A电流连续漏电流Id 25°C，该器件也可作为8功率TDFN封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件的最大功率为2.3W，该器件在11.8A时具有17mOhm，最大Id Vgs为4.5V，栅极电荷Qg Vgs为15.6nC@4.5V，输入电容Cis-Vds为1495pF@6V，漏极到源极电压Vdss为12V，Vgs最大Id为1.5V@250μa。
