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AON5802A是MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于6-SMD、扁平引线暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-DFN-EP（2x5），以及2 N通道（双）公共漏极FET类型，该器件还可以用作1.7W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1115pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7.2A，最大Id Vgs上的Rds为20mOhm@7.2A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为10.7nC@4.5V。
AON5800，带有AOS制造的用户指南。AON5800采用DFN-62X5封装，是IC芯片的一部分。
AON5802，电路图由ALPHA制造。AON5802在TDFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
