9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSTJD4001NT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSTJD4001NT1G参考价格为1.13美元。onsemi NSTJD4001NT1G封装/规格：MOSFET P-CH SC88。您可以下载NSTJD4001NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NSTB60BDW1T1G是TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88，包括NSTB60系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为250mW，该设备具有1个NPN预偏置，1个晶体管型PNP，集电极Ic最大值为150mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为22k，电阻器基基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V/120@5mA、10V，Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@5mA，10mA/500mV@5mA，50mA，集电极截止最大值为500nA，频率转换为140MHz，Pd功耗为256mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为-150mA，直流集电极基极增益hfe最小值为80，典型输入电阻为22kΩ，典型电阻比为2.13，直流集极电流峰值为150mA。
NSTB1005DXV5T1G是TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553，包括50V额定电压，它们设计为在0.000099 oz单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN，1 PNP-预偏置（双），提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计用于SOT-553，以及NSTB1005DX V5系列，该器件也可以用作357mW Pd功率耗散。此外，该封装为切割胶带（CT）交替封装，该器件采用SOT-553封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，且安装类型为表面安装，在NPN下10 V时，直流电流增益hFE最大值为80 mA，直流集电极基极增益hFE最小值为80，额定电流为100mA，连续集电极电流为0.1 a，并且该配置是双重的，并且集电极-发射极电压VCEO Max是50V，并且集极-发射极饱和电压是0.25V，集电极-基极电压VCBO是50V。
NSTB60BDW1T1是TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363，包括500nA集电器截止最大值，它们设计用于150mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA、10V/120@5mA和10V，具有140MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，除了6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒外，该设备还可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为250mW，器件提供22k电阻基极R1欧姆，器件具有47k电阻发射极基极R2欧姆，供应商器件封装为SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管类型为1 NPN预偏置，1 PNP，Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@5mA，10mA/500mV@5mA，50mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
