9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EFC6601R-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EFC6601R-TR参考价格为0.3万美元。onsemi EFC6601R-TR封装/规格：MOSFET 2N-CH EFCP。您可以下载EFC6601R-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EFC6601R-A-TR带有引脚细节，包括EFC6601R系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002413盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于6-XFBGA以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以6-EFCP（2.7x1.81）供应商器件包提供，该器件具有2 N沟道（双）FET型公共漏极，最大功率为2W，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，栅极电荷Qg Vgs为48nC@4.5V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为24V，漏极-源极电阻Rds为11.5毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
EFC4627R-TR带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于4-EFCP（1.01x1.01）供应商设备包，数据表注释中显示了用于1.4W的最大功率，该设备提供了磁带和卷轴（TR）等封装功能，包壳设计用于4-XFBGA、FCBGA，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件也可以用作13.4nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs。此外，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，该器件提供逻辑电平门，2.5V驱动FET功能。
EFC4627R-A-TR带有电路图，包括2个通道数量的通道，它们设计为使用卷筒包装操作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计为在2个N通道中工作。
