9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN4026SSDQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN4026SSDQ-13参考价格为0.39375美元。Diodes Incorporated DMN4026SSDQ-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO。您可以下载DMN4026SSDQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN4026SSD-13带有引脚细节，包括DMN40系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为1.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1060pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为19.1nC@10V，Pd功耗为1.8W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4.8ns，上升时间为7.1ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，第Vgs栅极源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.1ns，典型接通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为19.1nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN4026SK3-13，包括1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，具有0.13932 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为4.3 ns，以及19.5 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN40，上升时间为4.6ns，Rds漏极-源极电阻为20mOhm，Qg栅极电荷为9.6nC，Pd功耗为3.4W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为28 A，下降时间为3.1 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN4026SSD-13-F DMN4026SSLD-13-F在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
