旨在最大限度地减少功率转换损失,同时保持优异的开关性能
用于极低RDS的高性能Trench技术(开启)
同步FET™ 得益于高效的肖特基体二极管
在同步整流DC-DC转换器、电机驱动器、网络负载点低侧开关中的应用
特色
- 7.5安培,30伏
- RDS(ON)=18 mΩ@VGS=10 V
- RDS(ON)=23 mΩ@VGS=4.5 V
- 快速切换速度
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.73589 | 6.73589 |
2500+ | 2.85239 | 7130.99750 |
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旨在最大限度地减少功率转换损失,同时保持优异的开关性能
用于极低RDS的高性能Trench技术(开启)
同步FET™ 得益于高效的肖特基体二极管
在同步整流DC-DC转换器、电机驱动器、网络负载点低侧开关中的应用
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