9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6943BDQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6943BDQ-T1-GE3参考价格为0.626美元。Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP。您可以下载SI6943BDQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI6933DQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可作为2 P通道（双通道）使用FET类型。此外，功率最大值为1W，器件提供30V漏极到源极电压Vdss，器件具有FET功能的逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V。
SI6943BDQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如80mOhm@2.5A、4.5V，功率最大设计用于800mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有10nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为2.3A。
SI6943BDQ，带有VISHAY制造的电路图。SI6943BDQ在TSSOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
