9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6955ADQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6955ADQ-T1-E3参考价格0.634美元。Vishay Siliconix SI6955ADQ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP。您可以下载SI6955ADQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI6955ADQ-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI6954ADQ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI6954A-DQ-GE3中使用的零件别名，该SI6954AD Q-GE3提供单位重量功能，例如0.005573盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒外，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.1A，最大Id Vgs上的Rds为53 mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1 V，Rds漏极源极电阻为53 mOhm，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是23ns，并且典型接通延迟时间是12ns，并且Qg栅极电荷是8nC，并且沟道模式是增强。
SI6954ADQ-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.005573 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有技术Si，供应商器件封装为8-TSSOP，系列为TrenchFETR，上升时间为10ns，Rds On Max Id Vgs为53mOhm@3.4A，10V，Rds On Drain Source Resistance为53m欧姆，功率最大值为830mW，Pd功耗为830 mW，零件别名为SI6954ADQ-E3，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为3.1 A，栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SI6954ADQ，带有VISHAT制造的电路图。SI6954ADQ在TSSOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
