9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7934，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7934参考价格为0.42600美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7934封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN。您可以下载AON7934英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON7932_101带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN（3x3）以及2 N通道（半桥）FET类型中工作，该器件还可以用作1.4W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供460pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为6.6A、8.1A，最大Id Vgs为20mOhm@6.6A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为6.5nC@10V。
AON7932是MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN-EP（3x3）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于20 mOhm@6.6A，10V，提供1.4W等最大功率特性，封装设计为在Digi-ReelR中工作，以及8-WDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供460pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有6.5nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为6.6A，8.1A。
AON7902是MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN，包括8A、13A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于11nC@10V，除了710pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-PowerWDFN封装盒，该设备具有封装的磁带和卷轴（TR），最大功率为1.8W，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@8A，10V，供应商设备封装为8-DFN-EP（3.3x3.3），Vgsth最大Id为2.3V@250μA。
