9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3022LDG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3022LDG-7参考价格为0.42801美元。Diodes Incorporated DMN3022LDG-7封装/规格：MOSFET BVDSS：25V-30V POWERDI333。您可以下载DMN3022LDG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN3018SSS-13是MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO，包括DMN3018系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为697pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13.2nC@10V，Pd功耗为1.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.1 ns，上升时间为4.4ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为9.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20.1ns，典型导通延迟时间为4.3ns，Qg栅极电荷为6nC，正向跨导Min为8.3S，信道模式为增强。
DMN3018SSD-13是MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如30 V，单位重量设计为工作在0.002610盎司，该设备也可以用作20.1ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为8-SO，系列为DMN3018，上升时间为4.4 ns，Rds On Max Id Vgs为22 mOhm@10A，10V，Rds On Drain Source Resistance为30 mOhm，Qg Gate Charge为6 nC，Power Max为1.5W，Pd功耗为1.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为697pF@15V，Id连续漏极电流为6.7 A，栅极电荷Qg Vgs为13.2nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为4.1 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6.7A，配置为双双漏极，通道模式为增强型。
DMN3018SSD-13-F，电路图由DIODES制造。DMN3018SSD-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
DMN3018SSS-13-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN3018SSS-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
