9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6966EDQ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6966EDQ-T1-E3参考价格为1.526美元。Vishay Siliconix SI6966EDQ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP。您可以下载SI6966EDQ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI6966DQ-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包装，该设备也可作为2 N通道（双通道）使用FET类型。此外，最大功率为830mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@4.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V。
SI6966DQ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如30 mOhm@4.5A、4.5V，功率最大设计用于830mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有20nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
SI6966EDQ-T1，电路图由SILICONIX制造。SI6966EDQ-T1在MSOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
