FQPF10N20C

FQP10N20C/FQFPF10N20C QFET FQP10N2OC/FQFP10N20C 200V N沟道MOSFET概述这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术已经特别定制，以最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关DC/DC转换器、开关模式电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。TM功能9.5A、200V、RDS（开启）=0.36Ω @VGS=10 V低栅极电荷（典型值20 nC）低Crss（典型值40.5 pF）快速切换100%雪崩测试提高dv/dt能力D！GG DS TO-220 FQP系列GD S TO-220F FQPF系列！S绝对最大额定值符号VDSS ID IDM VGSS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ，TSTG TL TC=25°C，除非另有说明，否则参数漏极源电压-连续（TC=25℃）漏极电流-连续（TC=100℃）漏电流-脉冲（注1）FQP10N20C 9.5 6.0 38 FQPF10N20C 200 9.5–6.0–38–±30 210 9.5 7.2 5.5单位V A A V mJ A mJ V/ns W W/°C°C°C栅源电压单脉冲雪崩能量雪崩电流重复雪崩能量峰值二极管恢复dv/dt功耗（TC=25°C）（注2）（注1）（注3）–降额超过25°C操作和存储温度范围用于焊接的最大引线温度，从外壳1/8〃持续5秒72 0.57-55至+150 300 38 0.3–漏极电流受最大结温限制。热特性符号RθJC RθJS RθJA参数热阻、结到外壳热阻、外壳到水槽类型。耐热性，连接至环境FQP10N20C 1.74 0.5 62.5 FQPF10N20C 3.33-62.5单位°C/W°C/W©2003 Fairchild半导体公司A版，2003年3月FQP10N20C/FQPF10N20C电气特性符号参数TC=25°C，除非另有说明，否则测试条件最小典型最大单位关断特性BVDSS∆BVDSS/∆TJ IDSS IGSSF IGSSR漏极源击穿电压击穿电压温度系数零栅极电压漏极电流门体泄漏电流、正向栅极体泄漏电流，反向VGS=0 V，ID=250µA ID=250¦ΜA，参考25°C VDS=200 V，VGS=0 V VDS=160 V，TC=125°C VGS=30 V，VDS=0 V VGS=-30 V，VDS=0 V 200--0.28--10 100 100-100 V V/°CµAµA nA导通特性VGS（th）RDS（On）gFS栅极阈值电压静态漏极导通电阻正向跨导VDS=VGS，ID=250？A VGS=10 V，ID=4.75 A VDS=40 V，内径=4.75 A（注4）2.0-0.29 5.5 4.0 0.36 VΩ S动态特性Ciss Coss Crss输入电容输出电容反向转移电容VDS=25 V，VGS=0 V，f=1.0 MHz-395 97 40.5 510 125 53 p

FQP10N20C/FQFPF10N20C QFET FQP10N2OC/FQFP10N20C 200V N沟道MOSFET概述这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进的技术已经特别定制，以最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关DC/DC转换器、开关模式电源、用于不间断电源和电机控制的DC-AC转换器。TM功能9.5A、200V、RDS（开启）=0.36Ω @VGS=10 V低栅极电荷（典型值20 nC）低Crss（典型值40.5 pF）快速切换100%雪崩测试提高dv/dt能力D！GG DS TO-220 FQP系列GD S TO-220F FQPF系列！S绝对最大额定值符号VDSS ID IDM VGSS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ，TSTG TL TC=25°C，除非另有说明，否则参数漏极源电压-连续（TC=25℃）漏极电流-连续（TC=100℃）漏电流-脉冲（注1）FQP10N20C 9.5 6.0 38 FQPF10N20C 200 9.5–6.0–38–±30 210 9.5 7.2 5.5单位V A A V mJ A mJ V/ns W W/°C°C°C栅源电压单脉冲雪崩能量雪崩电流重复雪崩能量峰值二极管恢复dv/dt功耗（TC=25°C）（注2）（注1）（注3）–降额超过25°C操作和存储温度范围用于焊接的最大引线温度，从外壳1/8〃持续5秒72 0.57-55至+150 300 38 0.3–漏极电流受最大结温限制。热特性符号RθJC RθJS RθJA参数热阻、结到外壳热阻、外壳到水槽类型。耐热性，连接至环境FQP10N20C 1.74 0.5 62.5 FQPF10N20C 3.33-62.5单位°C/W°C/W©2003 Fairchild半导体公司A版，2003年3月FQP10N20C/FQPF10N20C电气特性符号参数TC=25°C，除非另有说明，否则测试条件最小典型最大单位关断特性BVDSS∆BVDSS/∆TJ IDSS IGSSF IGSSR漏极源击穿电压击穿电压温度系数零栅极电压漏极电流门体泄漏电流、正向栅极体泄漏电流，反向VGS=0 V，ID=250µA ID=250¦ΜA，参考25°C VDS=200 V，VGS=0 V VDS=160 V，TC=125°C VGS=30 V，VDS=0 V VGS=-30 V，VDS=0 V 200--0.28--10 100 100-100 V V/°CµAµA nA导通特性VGS（th）RDS（On）gFS栅极阈值电压静态漏极导通电阻正向跨导VDS=VGS，ID=250？A VGS=10 V，ID=4.75 A VDS=40 V，内径=4.75 A（注4）2.0-0.29 5.5 4.0 0.36 VΩ S动态特性Ciss Coss Crss输入电容输出电容反向转移电容VDS=25 V，VGS=0 V，f=1.0 MHz-395 97 40.5 510 125 53 p

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