9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN65D8LW-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN65D8LW-7参考价格为0.53000美元。Diodes Incorporated DMN65D8LW-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323。您可以下载DMN65D8LW-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN65D8LFB-7B是MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN，包括DMN65系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如3-UFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X1-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为430mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为25pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为260mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为3 Ohm@115mA，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，Pd功耗为430 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.29 ns，上升时间为3.15 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为400mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.025ns，典型导通延迟时间为3.27ns，正向跨导最小值为80mS，并且信道模式是增强。
DMN65D8LQ-13带用户指南，包括Si技术，设计用于DMN65系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
DMN65D8LQ-7带电路图，包括卷筒包装，设计用于DMN65系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
